Diameter (mm):

25.40 ±0.25

Surface Flatness (P-V):

λ/10 @ 632.8nm

Single Crystal Silicon

Back Surface:

Commercial Polish

Surface Quality:

10 - 5

Coating Specification:

R_abs >60% @ 13.5nm, 5° (s-pol)

Coating:

Mo/Si Multilayer
Top Layer: Silicon

Coating Type:

Metal/Semiconductor

Angle of Incidence (°):

5

Clear Aperture (%):

90

Design Wavelength DWL (nm):

13.5

Edges:

Fine Ground

Parallelism (arcmin):

3

Surface Roughness (Angstroms):

<5 RMS

Thickness (mm):

6.35 ±0.508

Thickness Tolerance (mm):

0.508

Type:

Flat Mirror

Wavelength Range (nm):

13.18 - 13.68

Full Width-Half Max FWHM (nm):

0.50

Center Energy (eV):

92

Regulatory Compliance

RoHS:

Compliant

Certificate of Conformance:

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產品系列說明

在 13.5nm 達到最高反射率
專為 EUV 光束轉向及諧波分離所設計
提供 5° 及 45° AOI 版本

極紫外線 (EUV) 平面反射鏡為多層反射鏡，設計用於在設計波長及入射角達到最高反射率。這類反射鏡採用於超拋光單晶矽基材沉積的鍍膜，表面粗糙度低於 3Å RMS。45° AOI 反射鏡適合用於轉向 S 偏振光束，5° AOI 反射鏡則可用於非偏振光束。EUV 反射鏡應用包括同調繞射成像 (CDI) 及材料科學研究。極紫外線 (EUV) 平面反射鏡也能作為高諧波產生 (HHG) 光束的諧波選擇器。

請注意：包含各個反射鏡生產運行樣本的測試數據。

13.5nm, 25.4mm Dia, 5° AOI, EUV Flat Mirror

Regulatory Compliance

產品系列說明